前面講述了很多電容器的類(lèi)別等基礎(chǔ)知識(shí)，今天就帶著大家深入的了解電容器,今天講的就是電容器的主要參數(shù)特性。廢話不多說(shuō)，直接開(kāi)始！
標(biāo)稱容量：標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。
允許偏差：實(shí)際電容量和標(biāo)稱電容量允許的最大偏差范圍。一般分為3 級(jí)：I 級(jí)±5%，II 級(jí)±10%，III級(jí)±20%。在有些情況下，還有0 級(jí)，誤差為±20%。精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級(jí)。常用的電容器其精度等級(jí)和電阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005 級(jí)——±0.5%；F——01 級(jí)——±1%；G——02 級(jí)——±2%；J——I 級(jí)——±5%；K——II 級(jí)——±10%；M——III 級(jí)——±20%。

額定工作電壓：額定工作電壓是指在規(guī)定溫度范圍內(nèi)，可以持續(xù)加在電容器上而不損壞電容器的最大直流電壓或交流電壓。也可以認(rèn)為是電容器在電路中能夠長(zhǎng)期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐壓。對(duì)于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。
（4）沖擊電壓Surge Voltage:

一般以電容器本身額定電壓之1.3 倍電壓加壓, 需工作正常無(wú)異狀.

（5）漏電流量Leakage current:

此為電解電容器之特定規(guī)格, 一般以電容器本身額定電壓加壓3 Min 后, 串接電流表測(cè)試, 其漏電流量需在0.01CV ( uF 電容量值與額定電壓相乘積) 或3uA 以下 (取其較大數(shù)值).特定低漏電流量使用 (Low leakage type) 則其漏電流量需在0.002CV 或0.4uA 以下.

（6）溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1℃，電容量的相對(duì)變化值。溫度系數(shù)越小越好。溫度系數(shù)有正負(fù)之分，正溫度系數(shù)電容器表明電容器隨溫度升高而增大，負(fù)的溫度系數(shù)則反之。

（7）使用溫度范圍:一般電解電容器的使用溫度范圍為 -25℃至+85℃, 特定高溫用或低漏電流量用者為 -40℃至+105℃.塑料薄膜電容器為 -40℃至+85℃.陶瓷電容器T/C type 為-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type 為 -25℃至+85℃

（8）絕緣電阻：又稱為漏電電阻，由于電容兩極之間的介質(zhì)不是絕對(duì)的絕緣體，所以他的電阻不是無(wú)限大，直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻. 當(dāng)電容較小時(shí)，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量〉0.1uf時(shí)，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越小越好。用來(lái)表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對(duì)而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。

（9）介質(zhì)損耗：在電場(chǎng)的作用下，電容器在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來(lái)自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來(lái)表示。相當(dāng)于串聯(lián)等效電阻同容抗1/wC之比。損耗tgδ

（10）頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場(chǎng)頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電容器，由于介電常數(shù)在高頻時(shí)比低頻時(shí)小，電容量也相應(yīng)減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時(shí)，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會(huì)影響電容器的性能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ 以內(nèi)；圓片型瓷介電容器為300MHZ；圓管型瓷介電容器為200MHZ；圓盤(pán)型瓷介可達(dá)3000MHZ；小型紙介電容器為80MHZ；中型紙介電容器只有8MHZ。

（11）電容的時(shí)間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。